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半导体的实际生产中的基区结深基区方块电阻对放大是如何影响的

归档日期:07-29       文本归类:发射区      文章编辑:爱尚语录

  我是做半导体工艺的,最近刚上手,基于我学的理论知识没有这么详细的解释,但是我要控制扩散这块做完发射区扩散后放大的调试,而这个跟基区的结深和方块电阻有很大关系,所以请那个高...

  我是做半导体工艺的,最近刚上手,基于我学的理论知识没有这么详细的解释,但是我要控制扩散这块做完发射区扩散后放大的调试,而这个跟基区的结深和方块电阻有很大关系,所以请那个高人以前做过这块的,给个比较详细的解释,基区结深和方块是如何影响放大的?发射区的我知道!谢谢!

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  发射结注射效率主要由发射区与基区的掺杂浓度之比决定,发射区掺杂浓度越高、基区掺杂浓度越低,注射效率也就越大。

  基区输运系数主要由基区宽度决定,宽度越小越好(但要照顾到击穿电压);基区宽度由基区扩散结深和发射结的结深之差来确定。因为发射结的结深是有限的(考虑到浓度不能太低的缘故),所以基区扩散结深越小,基区宽度也就越小。总之,基区的结深越小、方块电阻越大,基区宽度就越小,放大系数也就越大;但是基区的结深还要根据击穿电压的要求来设定。

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